锂离子电池保护板原理详解2021-06-21 08:13
锂离子电池的维护功用一般由维护电路板和PTC等电流器材协同完结，维护板是由电子电路组成，在-40℃至+85℃的环境下时刻准确的监视电芯的电压和充放回路的电流，及时操控电流回路的通断；PTC在高温环境下防止电池发生恶劣的损坏。
一般锂离子电池维护板一般包括操控IC、MOS开关、电阻、电容及辅助器材FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。其中操控IC，在一切正常的情况下操控MOS开关导通，使电芯与外电路导通，而当电芯电压或回路电流超越规定值时，它马上操控MOS开关关断，维护电芯的安全。
在维护板正常的情况下，Vdd为高电平，Vss,VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd,Vss,VM任何一项参数改换时，DO或CO端的电平将发生变化。
1、过充电检出电压：在一般状况下，Vdd逐步提升至CO端由高电平变为低电平时VDD-VSS间电压。
2、过充电免除电压：在充电状况下，Vdd逐步下降至CO端由低电平变为高电平时VDD-VSS间电压。
3、过放电检出电压：一般状况下，Vdd逐步下降至DO端由高电平变为低电平时VDD-VSS间电压。
4、过放电免除电压：在过放电状况下，Vdd逐步上升到DO端由低电平变为高电平时VDD-VSS间电压。
5、过电流1检出电压：在一般状况下，VM逐步升至DO由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
6、过电流2检出电压：在一般状况下，VM从OV起以1ms以上4ms以下的速度升到DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
7、负载短路检出电压：在一般状况下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
8、充电器检出电压：在过放电状况下，VM以OV逐步下降至DO由低电平变为变为高电平时VM-VSS间电压。
9、一般作业时耗费电流：在一般状况下，流以VDD端子的电流（IDD）即为一般作业时耗费电流。
10、过放电耗费电流：在放电状况下，流经VDD端子的电流（IDD）即为过流放电耗费电流。
1、一般状况：电池电压在过放电检出电压以上（2.75V以上），过充电检出电压以下（4.3V以下），VM端子的电压在充电器检出电压以上，在过电流/检出电压以下（OV）的情况下，IC通过监视连接在VDD-VSS间的电压差及VM-VSS间的电压差而操控MOS管，DO、CO端都为高电平，MOS管处导通状况，这时能够自在的充电和放电；
当电池被充电使电压超越设定值VC(4.25-4.35V)后，VD1翻转使Cout变为低电平，T1截止，充电停止，当电池电压回落至VCR(3.8-4.1V)时，Cout变为高电平，T1导通充电持续，VCR小于VC一个定值，以防止电流频繁跳变。
当电池电压因放电而下降至设定值VD（2.3-2.5V）时，VD2翻转，以IC内部固定的短时刻延时后，使Dout变为低电平，T2截止，放电停止。
当电路放电电流超越设定值或输出被短路时，过流、短路检测电路动作，使MOS管（T2）关断，电流截止。
该维护回路由两个MOSFET（T1、T2）和一个操控IC（N1）外加一些阻容元件构成。操控
IC担任监测电池电压与回路电流，并操控两个MOSFET的栅极，MOSFET在电路中起开关效果，分别控
制着充电回路与放电回路的导通与关断，C2为延时电容，该电路具有过充电维护、过放电维护、过电流保
护与短路维护功用，其作业原理剖析如下：
1、正常状况
在正常状况下电路中N1的CO与DO脚都输出高电压，两个MOSFET都处于导通状况，电池能够自在地进行充电和放电，因为MOSFET的导通阻抗很小，一般小于30毫欧，因而其导通电阻对电路的功能影响很小。
此状况下维护电路的耗费电流为μA级，一般小于7μA。
2、过充电维护
锂离子电池要求的充电方式为恒流/恒压，在充电初期，为恒流充电，跟着充电进程，电压会上升到4.2V(根据正极材料不同，有的电池要求恒压值为4.1V)，转为恒压充电，直至电流越来越小。
电池在被充电进程中，假如充电器电路失掉操控，会使电池电压超越4.2V后持续恒流充电，此刻电池电压仍会持续上升，当电池电压被充电至超越4.3V时，电池的化学副反应将加重，会导致电池损坏或呈现安全问题。
在带有维护电路的电池中，当操控IC检测到电池电压达到4.28V（该值由操控IC决议，不同的IC有不同的值）时，其CO脚将由高电压转变为零电压，使T1由导通转为关断，然后堵截了充电回路，使充电器无法再对电池进行充电，起到过充电维护效果。而此刻因为T1自带的体二极管VD1的存在，电池能够通过该二极管对外部负载进行放电。
在操控IC检测到电池电压超越4.28V至宣布关断T1信号之间，还有一段延时时刻，该延时时刻的长短由C2决议，一般设为1秒左右，以防止因搅扰而造成误判别。
3、过放电维护
电池在对外部负载放电进程中，其电压会跟着放电进程逐步下降，当电池电压降至2.5V时，其容量已被彻底放光，此刻假如让电池持续对负载放电，将造成电池的永久性损坏。
在电池放电进程中，当操控IC检测到电池电压低于2.3V（该值由操控IC决议，不同的IC有不同的值）时，其DO脚将由高电压转变为零电压，使T2由导通转为关断，然后堵截了放电回路，使电池无法再对负载进行放电，起到过放电维护效果。而此刻因为T2自带的体二极管VD2的存在，充电器能够通过该二极管对电池进行充电。
因为在过放电维护状况下电池电压不能再下降，因而要求维护电路的耗费电流极小，此刻操控IC会进入低功耗状况，整个维护电路耗电会小于0.1μA。在操控IC检测到电池电压低于2.3V至宣布关断T2信号之间，也有一段延时时刻，该延时时刻的长短由C2决议，一般设为100毫秒左右，以防止因搅扰而造成误判别。
4、过电流维护
因为锂离子电池的化学特性，电池生产厂家规定了其放电电流最大不能超越2C（C=电池容量/小时），当电池超越2C电流放电时，将会导致电池的永久性损坏或呈现安全问题。
电池在对负载正常放电进程中，放电电流在通过串联的2个MOSFET时，因为MOSFET的导通阻抗，会在其两端出现一个电压，该电压值U=I*RDS*2,RDS为单个MOSFET导通阻抗，操控IC上的V-脚对该电压值进行检测，若负载因某种原因导致反常，使回路电流增大，当回路电流大到使U>0.1V（该值由操控IC决议，不同的IC有不同的值）时，其DO脚将由高电压转变为零电压，使T2由导通转为关断，然后堵截了放电回路，使回路中电流为零，起到过电流维护效果。
在操控IC检测到过电流发生至宣布关断T2信号之间，也有一段延时时刻，该延时时刻的长短由C2决议，一般为13毫秒左右，以防止因搅扰而造成误判别。
在上述操控进程中可知，其过电流检测值大小不仅取决于操控IC的操控值，还取决于MOSFET的导通阻抗，当MOSFET导通阻抗越大时，对相同的操控IC，其过电流维护值越小。
一般锂离子电池维护板一般包括操控IC、MOS开关、电阻、电容及辅助器材FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。其中操控IC，在一切正常的情况下操控MOS开关导通，使电芯与外电路导通，而当电芯电压或回路电流超越规定值时，它马上操控MOS开关关断，维护电芯的安全。
在维护板正常的情况下，Vdd为高电平，Vss,VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd,Vss,VM任何一项参数改换时，DO或CO端的电平将发生变化。
1、过充电检出电压：在一般状况下，Vdd逐步提升至CO端由高电平变为低电平时VDD-VSS间电压。
2、过充电免除电压：在充电状况下，Vdd逐步下降至CO端由低电平变为高电平时VDD-VSS间电压。
3、过放电检出电压：一般状况下，Vdd逐步下降至DO端由高电平变为低电平时VDD-VSS间电压。
4、过放电免除电压：在过放电状况下，Vdd逐步上升到DO端由低电平变为高电平时VDD-VSS间电压。
5、过电流1检出电压：在一般状况下，VM逐步升至DO由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
6、过电流2检出电压：在一般状况下，VM从OV起以1ms以上4ms以下的速度升到DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
7、负载短路检出电压：在一般状况下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
8、充电器检出电压：在过放电状况下，VM以OV逐步下降至DO由低电平变为变为高电平时VM-VSS间电压。
9、一般作业时耗费电流：在一般状况下，流以VDD端子的电流（IDD）即为一般作业时耗费电流。
10、过放电耗费电流：在放电状况下，流经VDD端子的电流（IDD）即为过流放电耗费电流。
1、一般状况：电池电压在过放电检出电压以上（2.75V以上），过充电检出电压以下（4.3V以下），VM端子的电压在充电器检出电压以上，在过电流/检出电压以下（OV）的情况下，IC通过监视连接在VDD-VSS间的电压差及VM-VSS间的电压差而操控MOS管，DO、CO端都为高电平，MOS管处导通状况，这时能够自在的充电和放电；
当电池被充电使电压超越设定值VC(4.25-4.35V)后，VD1翻转使Cout变为低电平，T1截止，充电停止，当电池电压回落至VCR(3.8-4.1V)时，Cout变为高电平，T1导通充电持续，VCR小于VC一个定值，以防止电流频繁跳变。
当电池电压因放电而下降至设定值VD（2.3-2.5V）时，VD2翻转，以IC内部固定的短时刻延时后，使Dout变为低电平，T2截止，放电停止。
当电路放电电流超越设定值或输出被短路时，过流、短路检测电路动作，使MOS管（T2）关断，电流截止。
该维护回路由两个MOSFET（T1、T2）和一个操控IC（N1）外加一些阻容元件构成。操控
IC担任监测电池电压与回路电流，并操控两个MOSFET的栅极，MOSFET在电路中起开关效果，分别控
制着充电回路与放电回路的导通与关断，C2为延时电容，该电路具有过充电维护、过放电维护、过电流保
护与短路维护功用，其作业原理剖析如下：
1、正常状况
在正常状况下电路中N1的CO与DO脚都输出高电压，两个MOSFET都处于导通状况，电池能够自在地进行充电和放电，因为MOSFET的导通阻抗很小，一般小于30毫欧，因而其导通电阻对电路的功能影响很小。
此状况下维护电路的耗费电流为μA级，一般小于7μA。
2、过充电维护
锂离子电池要求的充电方式为恒流/恒压，在充电初期，为恒流充电，跟着充电进程，电压会上升到4.2V(根据正极材料不同，有的电池要求恒压值为4.1V)，转为恒压充电，直至电流越来越小。
电池在被充电进程中，假如充电器电路失掉操控，会使电池电压超越4.2V后持续恒流充电，此刻电池电压仍会持续上升，当电池电压被充电至超越4.3V时，电池的化学副反应将加重，会导致电池损坏或呈现安全问题。
在带有维护电路的电池中，当操控IC检测到电池电压达到4.28V（该值由操控IC决议，不同的IC有不同的值）时，其CO脚将由高电压转变为零电压，使T1由导通转为关断，然后堵截了充电回路，使充电器无法再对电池进行充电，起到过充电维护效果。而此刻因为T1自带的体二极管VD1的存在，电池能够通过该二极管对外部负载进行放电。
在操控IC检测到电池电压超越4.28V至宣布关断T1信号之间，还有一段延时时刻，该延时时刻的长短由C2决议，一般设为1秒左右，以防止因搅扰而造成误判别。
3、过放电维护
电池在对外部负载放电进程中，其电压会跟着放电进程逐步下降，当电池电压降至2.5V时，其容量已被彻底放光，此刻假如让电池持续对负载放电，将造成电池的永久性损坏。
在电池放电进程中，当操控IC检测到电池电压低于2.3V（该值由操控IC决议，不同的IC有不同的值）时，其DO脚将由高电压转变为零电压，使T2由导通转为关断，然后堵截了放电回路，使电池无法再对负载进行放电，起到过放电维护效果。而此刻因为T2自带的体二极管VD2的存在，充电器能够通过该二极管对电池进行充电。
因为在过放电维护状况下电池电压不能再下降，因而要求维护电路的耗费电流极小，此刻操控IC会进入低功耗状况，整个维护电路耗电会小于0.1μA。在操控IC检测到电池电压低于2.3V至宣布关断T2信号之间，也有一段延时时刻，该延时时刻的长短由C2决议，一般设为100毫秒左右，以防止因搅扰而造成误判别。
4、过电流维护
因为锂离子电池的化学特性，电池生产厂家规定了其放电电流最大不能超越2C（C=电池容量/小时），当电池超越2C电流放电时，将会导致电池的永久性损坏或呈现安全问题。
电池在对负载正常放电进程中，放电电流在通过串联的2个MOSFET时，因为MOSFET的导通阻抗，会在其两端出现一个电压，该电压值U=I*RDS*2,RDS为单个MOSFET导通阻抗，操控IC上的V-脚对该电压值进行检测，若负载因某种原因导致反常，使回路电流增大，当回路电流大到使U>0.1V（该值由操控IC决议，不同的IC有不同的值）时，其DO脚将由高电压转变为零电压，使T2由导通转为关断，然后堵截了放电回路，使回路中电流为零，起到过电流维护效果。
在操控IC检测到过电流发生至宣布关断T2信号之间，也有一段延时时刻，该延时时刻的长短由C2决议，一般为13毫秒左右，以防止因搅扰而造成误判别。
在上述操控进程中可知，其过电流检测值大小不仅取决于操控IC的操控值，还取决于MOSFET的导通阻抗，当MOSFET导通阻抗越大时，对相同的操控IC，其过电流维护值越小。
声明： 本网站所发布文章，均来自于互联网，不代表本站观点，如有侵权，请联系删除（QQ：2881247214）
